| 摘要 |
本发明系关于一种半导体雷射元件，其制造方法及多波长积体化半导体雷射装置；也就是说，本发明系提供一种得到自感振荡至高输出为止并且在宽广输出范围来得到自感振荡之半导体雷射元件，其制造方法及多波长积体化半导体雷射装置。本发明系提供一种半导体雷射元件，其特征为：具备：基板；及形成在前述基板上之第1导电型包层；及形成在前述第1导电型包层上并且藉由电流注入而放射出光之活化层；及形成在前述活化层上之第1之第2导电型包层；及属于沿着第1方向而形成于前述第1之第2导电型包层上之带状之第2层之第2导电型包层，其中垂直于前述第1方向之垂直方向上之切断面系，具有互相面对之上边和下边及连结它们的2个侧边且最小幅宽为最大幅宽之70％以上、100％以下之形状的带状之第2层之第2导电型包层；此外，在既定之输出区域进行自感振荡。 |
