| 摘要 |
一记忆体单元阵列利用一记忆体元件作为一记忆体单元。该记忆体元件由下列所建造：一闸极电极，经由在一闸极绝缘膜在一半导体层上形成、一通道区域，在该闸极电极底下排列、扩散区域，在该通道区域之两侧排列且具有与该通道区域的相反之导电型式、以及记忆体功能主体，在该闸极电极之两侧边排列且具有保持电子电荷之功能。当从外部所供应之第一和第二电源电压VCC1和VCC2低于一指定电压时，一停工电路33a禁止一重写命令至一包括该记忆体单元阵列之记忆体电路34。有了该安排，提供一半导体储存装置，即使该装置被微型化，也能够达成每记忆体元件两位元或更多之储存保持和稳定操作，和防止因从外部供应电源电压之减少而导致之重写错误等等故障之发生，以及其控制方法。 |
