发明名称 基板处理装置
摘要 本发明之基板处理装置,以安定且有效率地进行被处理基板W之成膜处理为目的,基板处理装置,系于与加热部相对之位置处支持被处理基板W,并使保持被处理基板W之保持构件旋转。另外,加热部系在透明石英制之石英钟罩内部收容SiC加热器与热反射构件,于减压处理容器内部的同时亦减压石英钟罩内部,而可使石英钟罩之厚度变薄,因而能提高来自SiC加热器之热传导效率,且亦可防止因SiC加热器所造成之污染。
申请公布号 TW200416810 申请公布日期 2004.09.01
申请号 TW092126227 申请日期 2003.09.23
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 堀口贵弘;桑岛亮
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本