发明名称 | 基板处理装置 | ||
摘要 | 本发明之基板处理装置,以安定且有效率地进行被处理基板W之成膜处理为目的,基板处理装置,系于与加热部相对之位置处支持被处理基板W,并使保持被处理基板W之保持构件旋转。另外,加热部系在透明石英制之石英钟罩内部收容SiC加热器与热反射构件,于减压处理容器内部的同时亦减压石英钟罩内部,而可使石英钟罩之厚度变薄,因而能提高来自SiC加热器之热传导效率,且亦可防止因SiC加热器所造成之污染。 | ||
申请公布号 | TW200416810 | 申请公布日期 | 2004.09.01 |
申请号 | TW092126227 | 申请日期 | 2003.09.23 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 堀口贵弘;桑岛亮 |
分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
代理机构 | 代理人 | 陈长文 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |