发明名称 碳化矽烧结体及其制造方法
摘要 本发明之目的在提供一种碳化矽烧结体,系由其截面研磨面之碳化矽粒子及矽粒子之面积,以气孔率(%)=(矽粒子之面积/(矽粒子之面积+碳化矽粒之面积))×100求出之气孔率在15%以上30%以下,残留矽之含量系对碳化矽烧结体之总体积在4%以下之碳化矽烧结体。
申请公布号 TW200416208 申请公布日期 2004.09.01
申请号 TW092131572 申请日期 2003.11.11
申请人 石桥股份有限公司 发明人 小高文雄
分类号 C04B35/56 主分类号 C04B35/56
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本