半导体发光元件及该制造方法

摘要

本发明之课题是提供一种高发光率、高亮度的发光二极体元件。本发明之解决手段是构成阳极侧覆盖层，该阳极侧覆盖层包括：未掺杂铝铟磷(AlInP)层，其与活性层连接，且生长成0.5μm以上的厚度；和中间层，其具有该未掺杂铝铟磷(AlInP)层能带间隙和窗层能带间隙的中间能带间隙，并进行与窗层连接之P型掺杂。又，在电流扩散层的部分表面，形成分配电极，并且设置覆盖电流扩散层和分配电极的透明导电膜，并且在该透明导电膜上设置底电极。