| 摘要 |
一种非挥发性记忆体(NVM)单元，包含有：一MOS选择电晶体，包含有一选择闸极，电连接一字元线，一第一源极掺杂区，电连接一源极线，以及一第一汲极掺杂区；以及一MOS浮动闸极电晶体，串接该MOS选择电晶体，该MOS浮动闸极电晶体包含有一浮置闸、一电连接该第一汲极掺杂区之第二源极掺杂区，以及一第二汲极掺杂区，电连接一位元线，且该第二源极掺杂区以及该第二汲极掺杂区定义一浮动闸极通道；其中当该MOS浮动闸极电晶体系经由通道热电子模式写入时，该MOS浮动闸极电晶体之浮置闸系掺杂P型掺质，当该该MOS浮动闸极电晶体系经由通道热电洞模式写入时，该MOS浮动闸极电晶体之浮置闸系掺杂N型掺质。 |
