场效应电晶体结构,其半导体-记忆体胞元以及其制造方法

摘要

本发明有关一场–效应电晶体结构，一相关半导体记忆体胞元以及相关制造方法，在其中为了一二极体(D)、一二极体掺杂区域(4)在半导体基材(1)中被加以形成，其中该半导体基材具有一场–效应电晶体结构(SD，3，K)以及一电性地传导的二极体连接层(5)连接该场–效应电晶体结构之一控制层(3)至该二极体掺杂区域(4)。利用这种方式，有可能耗尽过量在半导体基材(1)中的电荷载体(L)，因而防止一种非所欲的主体效应。