半导体材料晶圆之快速退火方法

摘要

本发明关于一种供选自于半导体材料之材料晶圆之表面处理制程，该晶圆已经由转移技术获得，而包含一个快速退火阶段之该制程依序包含：．意欲开始加热之温升之第一斜坡，．意欲稳定温度之第一稳定保持，．温升之第二斜坡，其特征为在该第二斜坡期间，该温升之平均斜率具有已知为低温之第一范围内之第一值，然后在已知为高温范围内增加。