| 摘要 |
一电晶体的预定区域(48和50)系利用埋入式能量吸收层激活。该埋入式能量吸收层(18)在一半导体层(21)之下，该半导体层中已形成一电晶体(51)。在一控制电极(32)与一闸极介电质(30)之任一侧上的该半导体层(21)中形成非晶性区(48和50)。将一能量源(其波长使之不会为该非晶性区或该控制电极所吸收)施加于该电晶体，并由该能量吸收层所吸收。该能量吸收层将该能量转换为热量，其产生之温度高于或等于该非晶性区的熔化温度，而低于该半导体层的熔化温度。由于该热量，使该非晶性区熔化并再结晶，从而变得电性活跃(48’和50’)。然而该控制电极并不熔化。 |
