| 摘要 |
本发明系一种在粘合晶圆和基础晶圆之至少其中一方的表面形成氧化膜，介由该形成的氧化膜而贴合上述粘合晶圆和基础晶圆后，将粘合晶圆予以薄膜化以制造SOI晶圆之方法，系进行氧化膜的形成，使得形成在上述粘合晶圆和基础晶圆之至少其中一方的表面之氧化膜的整体厚度比上述所制造的SOI晶圆所有的填埋氧化膜的厚度还厚，之后，介由该形成的氧化膜以贴合粘合晶圆和基础晶圆，将粘合晶圆予以薄膜化以形成SOI层，对所获得的贴合晶圆进行减少填埋氧化膜的厚度之热处理的SOI晶圆之制造方法。藉此，可以提供：即使使填埋氧化膜的厚度变薄，也不会发生气泡或孔隙，SOI层的结晶性极为良好之SOI晶圆之制造方法。 |
