包含取向生长步骤之SiCOI型复合基材制造方法SiCOI TYPE COMPOSITE SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD COMPRISING AN EPITAXY STEP

摘要

本发明系有关于一种SiCOI型复合基材制造方法，包含以下步骤：供给一起始基材，该基材包含一Si或SiC基底，且该Si或SiC基底支持一SiO之层，其上并转移有一SiC之薄层；及，于该SiC之薄层上使SiC取向生长。而该取向生长系于以下温度受到导引：若前述基底由SiC组成，则自1450℃起，各于一被转移之薄6H或4H聚型层上获得6H或4H聚型之取向生长；若前述基底由Si或SiC组成，则自1350℃起，于一被转移之薄3C聚型层上获得3C聚型之取向生长；若前述基底由Si组成，则自1350℃起，各于一被转移之薄6H或4H聚型层上获得6H或4H聚型之取向生长。