半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体装置，其包含具有改良的电致迁移抗性和／或应力迁移抗性之金属导线。铜导线107包含一低矽浓度区104以及形成于其上的矽固溶体层106。在矽固溶体层106的结构中，矽原子被导入构成铜导线之铜的晶状晶格结构中以作为晶格间点(inter–latticepoint)的原子或是被取代(substituted)的原子。当矽原子被当成晶格间点原子或是替代原子被导入的时候，矽固溶体层106仍维持铜为晶状晶格的结构(面心立方晶格；其晶格常数为3.6埃)。