低待机电源半导体电路

摘要

当电晶体被关闭时，藉由减少通过其之外泄电流，而获得在SRAM单元中之低待机电源消耗。该减少系藉由增加电晶体之接地电压，藉以减少跨越电晶体之源极–汲极电压差，且增强电流限制基体效应，其中该效应接着会导致外泄电流之减少而达成。该接地电压系藉由一耦极或其他独立电流电压修改装置，例如一附加电压供应器而提升。