使用电浆化学气相沉积(CVD)之薄膜形成方法及装置

摘要

使用电浆化学气相沈积(CVD)而在被处理基板(W)上形成特定薄膜之薄膜形成方法，系使第1及第2步骤至少交互各进行1次。在第1步骤中，一面对收容基板(W)之处理腔(3)内供给包含薄膜的成分之化合物气体和还原气体，一面在处理腔(3)内产生第1电浆。在第2步骤中，接续第1步骤，一面对处理腔(3)内供给上述还原气体，一面在处理腔(3)内产生第2电浆。