薄膜电晶体及形成薄膜电晶体的方法

摘要

此薄膜电晶体的一大特征是，在闸极旁边底材上存在与闸极电性隔离之不透光结构。藉此，自底材照射而来的光线会被阻档，而不会在薄膜电晶体之源极、汲极、通道与导线等部份引发光电流。此形成方法的一大特征是，使用具有双狭缝图案之光罩来形成厚度不均匀的光阻层图案，藉以仅使用一道光罩，便完成对用以形成源极、汲极与通道之二层导体层的图案转移。