发明名称 一种蚀刻方法
摘要 本发明系提供一种于一液晶显示面板上进行蚀刻的方法,该液晶显示面板包含有一基板,一透明导电层设于该基板表面,以及一遮罩层覆盖于该透明导电层上,该方法系先将该基板浸泡于一草酸蚀刻液中,然后利用一导电度计侦测该草酸蚀刻液之导电度,并根据导电度值利用一加水系统补充水分以调整该草酸蚀刻液浓度,使该草酸蚀刻液浓度维持在一预定浓度范围,以去除基板上未被遮罩层覆盖之透明导电层,形成一画素电极。
申请公布号 TWI220776 申请公布日期 2004.09.01
申请号 TW092100144 申请日期 2003.01.03
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 陈庆仁
分类号 H01L21/786 主分类号 H01L21/786
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路三八九号五楼
主权项 1.一种液晶显示面板之画素电极的蚀刻方法,该液晶显示面板包含有一基板,一透明导电层设于该基板表面,以及一遮罩层覆盖于该透明导电层表面,以用来定义该画素电极之图案,该蚀刻方法包含有下列步骤:使该基板浸泡于一草酸蚀刻液中;侦测该草酸蚀刻液之导电度(conductivity),并根据该导电度调整该草酸蚀刻液浓度,以使该草酸蚀刻液浓度维持于一预定浓度范围;以及利用该草酸蚀刻液去除未被该遮罩层覆盖之该透明导电层,以形成该画素电极。2.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中该透明导电层系由氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)所构成。3.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中该草酸蚀刻液浓度约为3.4wt%。4.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中于该预定浓度范围中,该蚀刻液浓度与该导电度约略具有一线性关系。5.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中该方法系利用一即时监控系统(inline monitor)于去除该透明导电层之过程中侦测该蚀刻液之导电度。6.如申请专利范围第5项之蚀刻方法,其中该即时监控系统系连接至一加水系统,以根据该即时监控系统测得之该导电度于该蚀刻液中补充水分,即时调整该蚀刻液浓度。图式简单说明:图一为本发明中实验所得草酸浓度与导电度之关系图。图二为本发明中实际测量不同蚀刻时间下草酸浓度与导电度之关系图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路一号