避免孔隙产生之沟渠填膜方法

摘要

本案系关于一种于沟渠式半导体元件制程中避免孔隙产生之沟渠填膜方法，此方法至少包含下列步骤：提供一半导体基板；形成一氮化矽层于半导体基板上，形成一氧化层于氮化矽层上；移除部分氧化层、氮化矽层与半导体基板，以形成至少一沟渠；形成一牺牲氧化层于沟渠侧壁；移除牺牲氧化层；进行蚀刻制程以移除沟渠侧壁之部分氮化矽层，俾使氮化矽层之侧面与沟渠侧壁成为一实质连续面；以及沉积一多晶矽层于氧化层上与沟渠中。