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发明名称
遮罩及其制造方法,及使用该遮罩之半导体装置制造方法
摘要
本发明之目的在于提供一种不致发生翘曲或变形,高精度且可靠性高的遮罩。此外,本发明提供一种在离子植入技术中,可施行高精度离子植入的(模板遮罩)遮罩。本发明提供一种无须形成光阻图案,高精度且可靠性较高的离子植入方法。本发明提供的遮罩系具备有:设有遮罩图案部与至少1个pn接合部的板状体、及对上述pn接合部施行电流供应的电流供应部;而藉由对上述pn接合部进行通电引起帕尔帖效应,俾可控制上述遮罩图案部的温度。此外,采用此遮罩便可在未形成光阻图案之情况下,形成可靠性较高的离子植入区域。
申请公布号
TW200416828
申请公布日期
2004.09.01
申请号
TW092135121
申请日期
2003.12.12
申请人
罗姆股份有限公司;东芝股份有限公司
发明人
熊野畅;见方裕一
分类号
H01L21/027;H01L21/265
主分类号
H01L21/027
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
日本
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