薄膜电容元件用组合物、高介电率绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜层积电容器、以及薄膜电容元件之制造方法(一)

摘要

c轴对于基板面呈垂直地进行定位之铋层状化合物藉由组成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–或Bi2Am–1BmO3m＋3所表示，前述组成式中之记号m系偶数，记号A系由Na、K、Ph、Ba、Sr、Ca和Bi所选出之至少一种元素，记号B系由Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W所选出之至少一种元素，前述铋层状化合物之Bi系相对于前述组成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–或Bi2Am–1BmO3m＋3而过剩地含有，该Bi之过剩含有量系以Bi换算而成为0＜Bi＜0.5×m莫尔之范围。