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发明名称
改良微电子电路性能之方法
摘要
本发明揭示一积体电路电晶体结构之方法及结构,结构包括闸极导体,其有一第一导电材料及第二材料。本发明具有一邻近闸极导体之非变形隔片,及一间隙于闸极导体与隔片之间。第一导电材料可为多晶矽,第二导电材料可为金属或聚合物。第二材料作为隔片之空间保持器。本发明中,间隙内保有四周大气及降低闸极导体之电阻。
申请公布号
TW200416994
申请公布日期
2004.09.01
申请号
TW092122758
申请日期
2003.08.19
申请人
万国商业机器公司
发明人
楼伦斯A. 克莱文葛;乔治C. 芬;詹姆斯M. E. 哈泼;许履尘
分类号
H01L23/52;H01L29/78
主分类号
H01L23/52
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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