发明名称 改良微电子电路性能之方法
摘要 本发明揭示一积体电路电晶体结构之方法及结构,结构包括闸极导体,其有一第一导电材料及第二材料。本发明具有一邻近闸极导体之非变形隔片,及一间隙于闸极导体与隔片之间。第一导电材料可为多晶矽,第二导电材料可为金属或聚合物。第二材料作为隔片之空间保持器。本发明中,间隙内保有四周大气及降低闸极导体之电阻。
申请公布号 TW200416994 申请公布日期 2004.09.01
申请号 TW092122758 申请日期 2003.08.19
申请人 万国商业机器公司 发明人 楼伦斯A. 克莱文葛;乔治C. 芬;詹姆斯M. E. 哈泼;许履尘
分类号 H01L23/52;H01L29/78 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国