半导体装置之制造方法

摘要

本发明系关于一种半导体装置之制造方法，其目的在于提高沟渠形成用抗蚀剂图案的尺寸控制性。其解决手段系在覆盖铜内连线1之层间绝缘膜2内，形成连接于铜内连线1之穿孔3。利用电气分解在穿孔3内埋设导电性高分子4。在层间绝缘膜2上利用光微影形成抗蚀剂图案5，并将抗蚀剂图案5当作遮罩而利用蚀刻形成连接于穿孔3之沟渠6。此后，去除抗蚀剂图案5及导电性高分子4。