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1.一种用来测量外部装置之阻抗或讯号发送端之 输出电流之自我平衡式主动电流电桥,包含: 一输入讯号源; 一运算放大器,该运算放大器系透过该运算放大器 之一第一输入端连接到该输入讯号源; 一平衡式电桥,该平衡式电桥系耦合到该运算放大 器之上述第一输出端与一第二输出端; 一受控电压源,该受控电压源系耦合到该平衡式电 桥,用以维持该平衡式电桥之平衡状态; 一电阻器,该电阻器系连接于该平衡式电桥与该受 控电压源之一输出端之间; 其中该受测外部装置系连接该平衡式电桥与该运 算放大器之该第二输入端之间之第一节点; 其中该受控电压源系耦合到该平衡式电桥,用以维 持该平衡式电桥之平衡状态,结果构成该自我平衡 式主动电流电桥,以藉由测量该电阻器之电压降参 数而用来测量该外部装置之阻抗或讯号发送端之 输出电流。 2.如申请专利范围第1项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该平衡式电桥更包括: 一第一驱动装置,用以提供电流到该受测外部装置 ; 一第二驱动装置,其中该第一驱动装置与该第二驱 动装置系连接到一供电参考电压与接地电压,结果 构成该平衡式电桥;以及 其中该受控电压源系耦合该第二驱动装置之输出 以传输电流或电压到该平衡式电桥,并且一回授系 统形成于该平衡式电桥与该受控电压源之间,以提 供给该第二驱动装置并跟随该第一驱动装置而变 化,结果维持该平衡状态与藉由该第一驱动装置与 该第二驱动装置而得到该外部装置之该输出状态 。 3.如申请专利范围第2项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该第一驱动装置系由一第一PMOS电晶体与 一第一NMOS电晶体所组成,而该第二驱动装置系由 一第二PMOS电晶体与一第二NMOS电晶体所组成。 4.如申请专利范围第3项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该第一PMOS电晶体与该第二PMOS电晶体之闸 极系耦合到该运算放大器之上述第一输出端。 5.如申请专利范围第3项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该第一NMOS电晶体与该第二NMOS电晶体之闸 极系耦合到该运算放大器之上述第二输出端。 6.如申请专利范围第3项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该第一PMOS电晶体与该第二PMOS电晶体之源 极系耦合到该供电参考电压。 7.如申请专利范围第3项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该第一PMOS电晶体之汲极系耦合到该第一 NMOS电晶体之汲极,而该第二PMOS电晶体之汲极系耦 合到该第二NMOS电晶体之汲极。 8.如申请专利范围第3项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该第一NMOS电晶体与该第二NMOS电晶体之源 极系耦合到该接地电压。 9.如申请专利范围第3项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该第一节点系耦合到该第一PMOS电晶体与 该第一NMOS电晶体之该共同汲极。 10.如申请专利范围第3项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该电阻器系透过一第二节点而连接到该第 二驱动装置,而该第二节点系耦合到该第二PMOS电 晶体与该第二NMOS电晶体之该共同汲极。 11.如申请专利范围第1项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该受控电压源之该输出电位系为该第一与 第二输入电位差的函数,而该受控电压源之该第一 输入端系透过该第一PMOS电晶体与该第一NMOS电晶 体之该共同汲极而耦合到该运算放大器之该第二 输入端,并且该受控电压源之该第二输入端系耦合 到该第二PMOS电晶体与该第二NMOS电晶体之该共同 汲极。 12.如申请专利范围第1项之自我平衡式主动电流电 桥,其中该受控电压源系由另一运算放大器或一差 动放大器所组成。 图式简单说明: 图一为根据本发明之电路图。 |
