| 发明名称 | 相移掩模及用它的图形的形成方法和电子器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的相移掩模包括在基板1上形成、并且具有露出基板1的一部分表面的开口部2a的中间色调遮光膜2。透过中间色调遮光膜2的曝光光的相位与透过开口部2a的曝光光的相位相差180度。由透过中间色调遮光膜2的曝光光的光强对透过开口部2a的曝光光的光强之比所定义的透光率为15％以上、25％以下。开口部2a的尺寸在基于曝光光的波长λ/数值孔径NA被定为1进行测量时为0.26以上、0.45以下。由此，得到一种不使集成度降低并且以低成本即可形成尺寸均匀性优越的图形的相移掩模、使用了该相移掩模的图形形成方法和电子器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1525245A | 申请公布日期 | 2004.09.01 |
| 申请号 | CN200310101475.1 | 申请日期 | 2003.10.20 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 中尾修治 |
| 分类号 | G03F1/08;H01L21/027 | 主分类号 | G03F1/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种相移掩模，其特征在于：包括：由透过曝光光的材料构成的基板(1)；以及在上述基板(1)上形成、并且具有露出上述基板(1)的一部分表面的开口部(2a)的中间色调遮光膜(2)，透过上述中间色调遮光膜(2)的曝光光的相位与透过上述开口部(2a)的曝光光的相位不同，由透过上述中间色调遮光膜(2)的曝光光的光强对透过上述开口部(2a)的曝光光的光强之比所定义的透光率为15％以上、25％以下，上述开口部(2a)的尺寸在基于曝光光的波长λ/数值孔径NA被定为1进行测量时为0.26以上、0.45以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||