| 发明名称 | 三维结构存储器的制造方法及使用方法 | ||
| 摘要 | 一种三维结构(3DS)存储器(100)使得能够将存储器电路(103)和控制逻辑(101)物理上分离到不同的层(103)上，致使可以分别地优化各个层。几个存储器电路(103)有一个控制逻辑(101)就够了，从而降低了成本。3DS存储器(100)的制造涉及到将存储器电路(103)减薄到厚度小于50微米以及将电路键合到电路叠层，同时仍然呈晶片衬底形式。采用了细粒高密度层间垂直总线互连(105)。3DS存储器(100)制造方法使得能够实现几种性能和物理尺寸效能，并且是用现有的半导体工艺技术实现的。 | ||
| 申请公布号 | CN1525549A | 申请公布日期 | 2004.09.01 |
| 申请号 | CN200310104397.0 | 申请日期 | 1998.04.03 |
| 申请人 | 格伦·J·利迪 | 发明人 | 格伦·J·利迪 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L23/52;H01L23/48;H01L27/02;G11C5/06;G11C11/34;B44C1/22 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种具有在一层半导体材料中形成数据源、在另一层半导体材料中形成数据收发器、以及在所述第一和第二层半导体材料彼此覆盖的体积之内形成互连电路的集成电路的使用方法，此方法包括：在所述数据收发器和所述数据源之间交换控制信号；并且在所述数据源和所述数据收发器之间同时传送许多数据字节。 | ||
| 地址 | 美国怀俄明 | ||