发明名称 一种制备碳化硅/碳,碳化硼/碳功能梯度材料的方法
摘要 本发明涉及一种通过成分分布设计和热压烧结方法制备SiC/C和B<SUB>4</SUB>C/C功能梯度材料的方法。特征在于:向低原子序数陶瓷-碳块体梯度材料原料中加入烧结助剂,对于SiC/C FGM,采用活性炭粉和B粉作SiC的烧结助剂,SiC的烧结助剂B+C含量应在1-10wt%(重量百分比),碳材料添加剂B的含量应在1-10wt%。B<SUB>4</SUB>C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用线性成分分布设计,B<SUB>4</SUB>C/C FGM采用S型成分分布设计。在氩气气氛中,压力为15-50MPa、温度为1900℃-2200℃,保温1-3小时。优点在于:具有优良的耐高温等离子体冲刷,抗热冲击和耐化学溅射性能。
申请公布号 CN1164524C 申请公布日期 2004.09.01
申请号 CN01100449.5 申请日期 2001.01.12
申请人 北京科技大学 发明人 葛昌纯;曹文斌;沈卫平;李江涛;武安华
分类号 C04B35/56;C04B35/64 主分类号 C04B35/56
代理机构 北京科大华谊专利代理事务所 代理人 刘月娥
主权项 1、一种制备SiC、B<sub>4</sub>C-碳体功能梯度材料的方法,其特征在于:向SiC、B<sub>4</sub>C-碳体功能梯度材料原料中加入烧结助剂,对于SiC/C FGM,采用活性碳粉和B粉作SiC的烧结助剂,SiC的烧结助剂B+C含量为3-10重量%,碳体材料添加剂B的含量为1-10重量%;C含量在3-10重量%范围内变化,B含量在0-2重量%范围内变化;SiC/C FGM采用线性成分分布设计;B<sub>4</sub>C-SiC/CFGM采用S型成分分布设计;为其中一个相的体积分数;x为离表面的相对距离;δ为功能梯度材料样品的厚度;n是指数,它是梯度变化特征的一个参数;S型成分分布设计用下式表示:<img file="C011004490002C1.GIF" wi="1438" he="534" />烧结工艺为:在氩气气氛中,压力为15-50MPa、温度为1900℃-2200℃,保温0.5-3小时。
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