发明名称 |
用于DRAM存储器的带有垂直晶体管的写入放大器/读出放大器 |
摘要 |
随着DRAM存储器的微型化发展,要求写入/读出放大器所占据的空间越来越小,其宽度由4位线网格宽度到两个位线网格宽度。常规的已有写入/读出放大器还可以减小,但可支配空间不能实现中断。因此至今仍然没有成功地将写入/读出放大器按新式DRAM存储器单元所需的间隔一个挨一个布置。根据本发明的原理和教导,将写入/读出放大器中使用的常规晶体管中的至少一部分更换为垂直晶体管,其上不同掺杂区域上下叠放布置,采用垂直晶体管显然比使用常规的晶体管节约空间,使一个写入/读出放大器在网格中的布置能够保障具有尽可能小的网格宽度。 |
申请公布号 |
CN1165083C |
申请公布日期 |
2004.09.01 |
申请号 |
CN01116291.0 |
申请日期 |
2001.02.28 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
A·弗雷;W·维贝尔;T·施勒泽尔 |
分类号 |
H01L27/108;G11C11/4063 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张志醒 |
主权项 |
1.一种集成化的写入/读出电路,用于运算DRAM存储器中的至少一个位线(BL,BBL),其特征在于,在所述的写入/读出电路中至少有一个所使用的晶体管是垂直晶体管。 |
地址 |
联邦德国慕尼黑 |