承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法

摘要

一种承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法，属基因(DNA)芯片制备技术领域，制备步骤包括：多孔硅衬底的原料；形成区域阻挡层；阳极氧化形成多孔硅；继续阳极氧化；清洗干燥制得成品，用该法制备的多孔硅衬底有分子探针的固定效率高和承载cDNA芯片微阵列的阵列密度高的优点，特别适于用来制备承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底。

主权项

1.一种承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法， 其特征在于，制备步骤包括： 第一步多孔硅衬底的原料 清洁的单面抛光硅片3； 第二步形成区域阻挡层 在硅片3的抛光面上，用金属掩模或离子注入技术形成区域阻挡 层，该阻挡层具有硅片3承载高集成度cDNA微阵列的微阵列单元图 案，微阵列单元处为不受金属掩模保护或无离子注入的局部区域，微 阵列单元呈正方形，边长介于200nm～500μm，相邻单元间隔介于 200nm～500μm； 第三步阳极氧化形成多孔硅 把经上步处理的硅片3置于阳极氧化槽1内，阳极氧化槽1内注 有腐蚀液2，腐蚀液2的配方为HF∶H₂O∶C₂H₅OH＝1～2体积∶ 1体积∶2～4体积，其中HF为40％分析纯氢氟酸，H₂O为去离子 水，C₂H₅OH为分析纯无水乙醇，两铂电极4间接稳流电源5，稳流 电源5输出电流的电流密度为1～30mAcm^-2，硅片3的抛光面与稳 流电源5的负极相对，阳极氧化时间为5～30分钟，硅片3上的微 阵列单元处形成多孔硅； 第四步继续阳极氧化 用含H₂O₂的去离子水氧化液取代腐蚀液2，微阵列单元氧化液 的配方为H₂O₂∶H₂O＝1～10体积∶100体积，继续进行阳极氧化 2～6分钟，然后用去离子水将硅片3清洗干净，110℃下烘干后冷 却至室温； 第五步清洗干燥制得成品 将经上步处理的硅片3置于1％的3-氨丙基三甲氧基硅烷95％ 丙酮溶液中浸泡1～5分钟，取出用丙酮洗涤3～15次，110℃下 烘30分钟后自然冷却至室温，至此制得成品，即承载高集成度 cDNA微阵列的多孔硅衬底。