半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含下述工序：在形成了实际元件区域和虚设图形区域的衬底的实际元件区域和虚设图形区域上使用掩摸分别形成槽的工序(a)；在衬底上淀积绝缘体而形成至少填埋槽的绝缘膜的工序(b)；以及除去绝缘体中从槽突出的部分并在实际元件区域内的槽内形成元件隔离用的第1埋入绝缘膜、同时在虚设图形区域内的槽内形成第2埋入绝缘膜的工序(c)，虚设图形区域具有不形成槽的虚设图形，虚设图形的宽度尺寸为在槽的衬底部分上设置的部分的深度的4倍以下。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于具备：衬底，具有包含有源区的实际元件区域和包含虚设图形的虚设图形区域，在上述实际元件区域内和上述虚设图形区域内分别形成了槽；半导体元件，被设置在上述衬底的上述有源区上；第1埋入绝缘膜，被设置在上述实际元件区域内的上述槽内，用来隔离互相邻接的上述半导体元件；以及第2埋入绝缘膜，被设置在上述虚设图形区域内的上述槽内，包围上述虚设图形，上述虚设图形的宽度尺寸为上述槽的深度的4倍以下。