在沿<1100>方向切割的基片上生长的碳化硅外延层

摘要

一种碳化硅外延膜，其生长在六方晶体形式的SiC晶体基片的切基片晶向约6度到约10度的切割角。所得的碳化硅外延膜具有优良的形态和材料性能。

主权项

1.一种外延SiC膜，该膜生长在具有六方晶体结构的SiC基片的切割面上，且该切割面具有约2度到约10度的切割角，切割面的结晶学方向是沿基片的六个等同<1100>方向中的其中之一±7.5度，其中所述的外延SiC膜包含一种在边缘禁区内具有光滑的表面形态的器件质量的SiC膜，且该器件质量的SiC膜在20×20μm2的面积上的均方根粗糙度不超过约2纳米。