发明名称 防止由干扰的累积引起的数据变化的半导体记忆装置
摘要 刷新区域检测部(22)将半导体存储器的块分割成执行刷新的单位,并分别作为刷新区域,检测作为写入对象的扇区包含在哪个刷新区域。刷新执行部(23)在每次对扇区发生写入时,对由上述刷新区域检测部(22)检测的刷新区域所包含的扇区依次执行刷新。因而可防止对特定扇区的改写次数的增加且通过刷新防止因干扰的累积所引起的数据的变化。
申请公布号 CN1525488A 申请公布日期 2004.09.01
申请号 CN200310104693.0 申请日期 2003.10.28
申请人 株式会社瑞萨科技;株式会社瑞萨解决设计 发明人 石本真一
分类号 G11C16/06 主分类号 G11C16/06
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;叶恺东
主权项 1.一种半导体记忆装置,包括以扇区单位写入数据的不挥发性存储器和对该不挥发性存储器的数据进行改写的数据改写装置,其中,上述不挥发性存储器内的各扇区包含存储数据的数据区和存储表示是否已执行刷新的信息的刷新标记,上述数据改写装置包括通过参照上述刷新标记判定是否对该扇区执行刷新并执行刷新的刷新执行部。
地址 日本东京都