发明名称 | 光电子器件集成 | ||
摘要 | 制造一种含有至少一个耦合到一个电学芯片(1518)的底有源器件(1504)的混合芯片的方法包括组合一个底有源光器件和一个电子芯片,其时至少一些底有源光学器件接触点与至少一些电子芯片接触点不对准。该方法包括向底有源光学器件添加一个绝缘层(1506),该绝缘层有一定的厚度和一个第一面一个第二面,将绝缘层的第一表面粘贴于底有源光学器件的和衬底相对的表面上,在绝缘层上与光学器件和电子芯片的有源接触点基本重合的点形成从第二面向第一面延伸的开口),使侧壁导电以及用导电材料将这些点与底有源光学器件接触点和电子芯片接触点相连接。 | ||
申请公布号 | CN1526156A | 申请公布日期 | 2004.09.01 |
申请号 | CN02813097.9 | 申请日期 | 2002.06.28 |
申请人 | 美莎诺普有限公司 | 发明人 | 格雷格·杜德夫;约翰·特雷泽 |
分类号 | H01L21/00;H01L27/15 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 傅强国 |
主权项 | 1、一种通过结合一个底有源光学器件和一个电子芯片制造混合芯片的方法,该底有源光学器件在一面有衬底,在和衬底相对的一个表面有有源器件接触点,电子芯片有电子芯片接触点,至少一些有源器件接触点和至少一些电子芯片接触点不对准,至少一些有源器件接触点中的每一个接触点都有一个电气相应的电子芯片接触点,,该方法包括:向底有源光学器件添加一个绝缘层,该绝缘层具有一定厚度,具有一个第一面和一个第二面,绝缘层的第一面黏附于有源光器件表面;在与有源器件接触点基本重合的点形成限定绝缘层中从第二面延伸到第一面的开口的侧壁;使侧壁导电;和用导电材料连接这些点和电子芯片接触点。 | ||
地址 | 美国新罕布什尔州 |