| 发明名称 | 形成接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种接触孔的制造方法。首先提供一衬底，在上述衬底上依序形成具有不同蚀刻速率的第一介电层、第二介电层及第三介电层。接着，在上述第三介电层上，形成一图案化的掩模层。以一蚀刻工序去除未被该掩模层所覆盖的部分的第一介电层、第二介电层及第三介电层，直至裸露出该衬底，以形成一接触孔开口。本发明的目的在于提供一个较佳的接触孔开口结构，增加次层金属层的覆盖能力，以减少元件断线或是阻抗的增加。 | ||
| 申请公布号 | CN1525533A | 申请公布日期 | 2004.09.01 |
| 申请号 | CN03106326.8 | 申请日期 | 2003.02.24 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 廖子毅;许建宙 |
| 分类号 | H01L21/30;H01L21/768;H01L21/28;G02F1/136 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成接触孔的方法，至少包括下列步骤：提供一衬底，在上述衬底上依序形成具有不同蚀刻速率的第一介电层与第二介电层；于上述第二介电层上形成具有与上述第二介电层不同蚀刻速率的第三介电层；于上述第三介电层上形成一图案化的掩模层；以及以一蚀刻工序去除未被该掩模层所覆盖的部分的第一介电层、第二介电层及第三介电层，直至裸露出该衬底，以形成一接触孔开口。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||