CMOS DE CARBURO DE SILICIO Y METODO DE FABRICACION.

摘要

DISPOSITIVO MONOBLOQUE DE CMOS INTEGRADO, FORMADO EN CARBURO DE SILICIO Y METODO PARA LA FABRICACION DEL MISMO. EL INSTRUMENTO DE CMOS INTEGRADO INCLUYE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO DE UN TIPO DE PRIMERA CONDUCTIVIDAD CON UNA REGION HUNDIDA DE UN TIPO DE SEGUNDA CONDUCTIVIDAD FORMADO EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. UN TRANSISTOR COMPLEMENTARIO MOS DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA REGION HUNDIDA Y UN TRANSITOR MOS COMPLEMENTARIO DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. EL METODO DE FABRICACION DEL CMOS DE CARBURO DE SILICIO INCLUYE LA FORMACION DE UNA REGION HUNDIDA DE UNA CONDUCTIVIDAD OPUESTA EN UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO POR IMPLANTACION DE ION. LOS CONTACTOS DE FUENTE Y DRENAJE TAMBIEN ESTAN FORMADOS POR IMPLANTACION SELECTIVA DE ION EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO Y EN LA REGION HUNDIDA. UNA CAPA DE PUERTA DIELECTRICA SE FORMA POR DEPOSICION Y REOXIDACION. UN ELECTRODO DE PUERTA SE FORMA SOBRE LA PUERTA DIELECTRICA DE TAL FORMA QUE SE FORME UNA REGION DE CANAL ENTRE LA FUENTE Y EL DRENAJE DONDE SE APLICA UNA DESVIACION AL ELECTRODO DE LA PUERTA. EL DRENAJE DEL ORIGEN Y LOS CONTACTOS DEL DISPOSITIVO SE FORMAN PREFERENTEMENTE DEL MISMO MATERIAL EN UN SOLO PASO DE LA FABRICACION.