沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件

摘要

本实用新型公开了属于微电子器件范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。在传统的SOIMOSFET器件中的掩埋绝缘层上设置了一个通道，将器件的沟道区和衬底相连在一起。该通道大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应；完全消除了SOI器件的浮体效应。还使该器件保持了SOI器件漏区、源区寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离，保证SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性。

主权项

1.一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件，所述器件由源区、漏区、栅、沟道区、源和漏下方的掩埋绝缘层以及硅衬底构成，其特征在于：在器件的源区(1)和漏区(3)下方有掩埋绝缘层(4)，在器件的源区(1)和漏区(3)之间为沟道区，两掩埋绝缘层(4)之间设置了一个通道(6)，使沟道区和衬底(5)相连在一起。