发明名称 Quantenpunkt aus elektrisch leitendem Kohlenstoff, Verfahren zur Herstellung und Anwendung
摘要 Quantenpunkte zeigen eine besonders in der Nanoelektronik vorteilhaft nutzbare Quantisierung ihrer elektrischen Eigenschaften. Der präzise Aufbau, die Herstellung und der Einbau von Quantenpunkten sind jedoch sehr kompliziert und gelingen nur ungenügend. Der erfindungsgemäße Quantenpunkt (QP) ist gekennzeichnet durch einen eingebetteten Aufbau als zylindrischer Bereich mit graphitartiger Struktur (GLC) in einer elektrisch isolierenden Kohlenstoffschicht (DLC¶QP¶) mit diamantartiger Struktur, die zwischen zwei elektrisch isolierenden, diese Eigenschaft auch nach einem Ionendurchgang zeigenden Isolierschichten (IL¶1¶, IL¶2¶) angeordnet ist. Somit wird erstmals ein geometrisch und lokal genau definierter Quantenpunkt in dem für die Nanoelektronik sehr interessanten DLC-Material vorgestellt, der Abmaße von unter 8 nm aufweisen kann und besonders zur Realisierung eines Einzel-Elektron-Transistors (SET) geeignet ist. Durch integrierte Nanodrähte kann eine einfache Kontaktierung erfolgen. Die Herstellung erfolgt in einfacher Weise durch Bestrahlung eines Schichtenpakets (LS) mit einem Ionenstrahl (IB). Der Quantenpunkt (QP) und die Nanodrähte (NW) entstehen dabei in der Ionenspur (IT) durch Umwandlung des nicht-leitenden Kohlenstoffs (DLC) mit diamantartiger Struktur in leitenden Kohlenstoff (GLC) mit graphitartiger Struktur.
申请公布号 DE10306076(A1) 申请公布日期 2004.08.26
申请号 DE20031006076 申请日期 2003.02.08
申请人 HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH 发明人 WEIDINGER, ALOIS;HOFSAESS, HANS PROF. DR.;KRAUSER, JOHANN;MERTESACKER, BERND;ZOLLONDZ, JENS-HENDRIK
分类号 H01B1/04;H01L21/02;H01L21/04;H01L29/12;H01L29/16;H01L51/00;H01L51/30;(IPC1-7):H01L29/775;H01L21/335;B82B3/00 主分类号 H01B1/04
代理机构 代理人
主权项
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