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Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Einrichtung, wobei eine Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante einem Ätzvorgang unterzogen wird, während gleichzeitig eine auf einem Substrat gebildete Resiststruktur - auf der die Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante gebildet ist - als Maske genutzt wird. Anschließend wird die Resiststruktur durch Ablösen unter Einsatz eines Ablösegases entfernt. Nach dem Ablösevorgang wird eine Änderungsschicht, die auf der Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante gebildet ist, entfernt. Alternativ wird vor dem Ablösevorgang eine Dünnschicht, die das Eindringen von Sauerstoff unterbindet, auf der Oberfläche oder den Seitenflächen der Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante gebildet. Als weitere Alternative wird als Ablösegas ein Gas eingesetzt, das eine Oxidation der Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante unterbindet.
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