制作栅极和金属氧化物半导体晶体管的方法

摘要

本发明提供一种在半导体衬底上制作栅极和金属氧化物半导体晶体管的方法，该半导体衬底表面包括有一第一氧化层、一导电层、一金属硅化物层以及一掩模层。本发明提供的方法包括先于该掩模层中定义出该栅极图案，然后进行一蚀刻工艺，去除未被该掩模层覆盖的该金属硅化物层以及该导电层，接着于该半导体衬底表面进行一氧化工艺，以于该第一氧化层表面形成一第二氧化层，最后再进行一湿蚀刻工艺，去除部分的该金属硅化物层，使该金属硅化物层的两个侧壁具有内凹结构，并回蚀刻该第二氧化层。

主权项

1.一种于一半导体衬底上制作一栅极的方法，该半导体衬底表面包括有一第一氧化层、一导电层、一金属硅化物层以及一掩模层，该方法包括有下列步骤：于该掩模层中定义出该栅极的图案；进行一蚀刻工艺，去除未被该掩模层覆盖的该金属硅化物层以及该导电层；于该半导体衬底表面进行一氧化工艺(O2冲刷)，以于该第一氧化层表面形成一第二氧化层；以及进行一湿蚀刻工艺，去除部分的该金属硅化物层，使该金属硅化物层的二侧壁具有一内凹结构，并且回蚀刻该第二氧化层。