发明名称 封装基板和倒装型半导体器件
摘要 本发明提供提高了封装后的成品率的封装基板和倒装型半导体器件。以倒装方式连接了以低热膨胀的金属为核心并在其两面上层叠了叠加布线层的封装基板9与半导体芯片1,在金属核心中形成了多个贯通孔或狭缝。尽管对于在封装基板9的表面上形成的与安装基板6的连接端子来说,在金属核心与安装基板6之间存在热膨胀率的差别,但利用在金属核心中形成了的多个贯通孔或狭缝减少了其约束力。此外,另一方面,由于金属核心是低热膨胀的,故与半导体芯片1之间的热膨胀率差小,对倒装连接凸点3或半导体芯片1表面施加的压力也非常小。此外,本发明提供以低热膨胀的金属为核心并在其两面上层叠了叠加布线层的封装基板9。
申请公布号 CN1523664A 申请公布日期 2004.08.25
申请号 CN200410004428.X 申请日期 2004.02.19
申请人 株式会社东芝 发明人 杉崎吉昭;池边宽
分类号 H01L23/12 主分类号 H01L23/12
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 陈海红;段承恩
主权项 1.一种封装基板,其特征在于:具备:具有多个贯通孔的低热膨胀率基板;在上述低热膨胀率基板的两面上以层叠方式形成的树脂绝缘层;进而在上述低热膨胀率基板的两面中并在上述树脂绝缘层上以层叠方式形成的叠加布线层;以及在上述低热膨胀率基板上形成的半导体芯片安装区,在从上述低热膨胀率基板的中心起用直线连结了外周上的任意的点时,在该直线上的上述低热膨胀率基板上必定存在上述贯通孔。
地址 日本东京都