| 发明名称 | 光掩模坯体，光掩模，制造光掩模坯体的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明一般涉及光掩模坯体，光掩模，制造光掩模坯体的方法和设备，具体涉及利用粒子束溅射制造光掩模坯体的方法和设备。本发明的目的是提供一种制造高质量和高稳定性光掩模坯体的方法，它适合于制造有微小结构的光掩模。本发明提出一种制造光掩模坯体的方法，其中基片和靶放置在真空室。所述靶的溅射是利用辐照。利用第一粒子或离子束，通过所述靶的所述溅射，在所述基片上至少淀积第一层的第一材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1523444A | 申请公布日期 | 2004.08.25 |
| 申请号 | CN200410004942.3 | 申请日期 | 2004.02.13 |
| 申请人 | 肖特·格拉斯公司 | 发明人 | 翰斯·贝克;马里奥·希夫勒;弗兰克·伦曾;于特·布特格雷特;盖恩特·埃斯;弗兰克·索贝尔;卢茨·阿斯克;马库斯·雷诺;奥里沃·格岑贝格尔;弗兰克·施密特 |
| 分类号 | G03F1/00;G03F7/20 | 主分类号 | G03F1/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蒋世迅 |
| 主权项 | 1.一种制造光掩模坯体的方法，具体是二元光掩模坯体，相移光掩模坯体或远紫外光掩模坯体，包括以下步骤：在真空室中提供基片和靶，提供第一粒子束，利用所述第一粒子束的辐照以溅射所述靶，通过所述靶的所述溅射，在所述基片上至少淀积第一层的第一材料。 | ||
| 地址 | 联邦德国美因茨 | ||