MTJ MRAM串并行体系结构

摘要

一种磁隧道结随机访问存储器体系结构，其中存储器单元阵列(18)按行和列(15)排列，各个存储器单元包含并联的磁隧道结(20、22、24、26)和控制晶体管(21、23、25、27)。控制线(WL)被连接到控制晶体管行中各个控制晶体管的栅极，延伸以邻近各个磁隧道结的金属编程线路(36－39)通过通孔按照分离开的间隔被连接到控制线。此外，各个列中的存储器单元组(16、17)串联以形成局部位线，局部位线并联到全局位线(19)。通过使用定位的列提供基准信号，读取串并行结构，并且将来自基准列的各侧上的列的数据与基准信号相比较，或者差动比较接近的2个列。

主权项

1.一种磁隧道结随机访问存储器体系结构，包括：按行和列排列的存储器单元阵列，各个存储器单元包含并联的磁隧道结和控制晶体管，各个控制晶体管包含控制端子；控制线，被连接到控制晶体管行中各个控制晶体管的控制端子；金属编程线路，延伸以邻近行中的各个磁隧道结；和多个通孔，按照分离开的间隔将金属编程线路连接到控制线。