MAGNETORESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY WITH ADJUSTABLE SCALABILITY,申请号EP20020773722-传众专利搜索

发明名称	MAGNETORESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY WITH ADJUSTABLE SCALABILITY
摘要
申请公布号	EP1449219(A1)	申请公布日期	2004.08.25
申请号	EP20020773722	申请日期	2002.09.24
申请人	FREESCALE SEMICONDUCTORS, INC.	发明人	ENGEL, BRADLEY, N.;SAVTCHENKO, LEONID;JANESKY, JASON, ALLEN;RIZZO, NICHOLAS, D.
分类号	G11C11/15;G11C11/16;H01F10/32;H01F41/30;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/16	主分类号	G11C11/15
代理机构		代理人
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