| 主权项 |
1.一种矽化金属制程,至少包含:形成闸极介电层于一半导体基板之上;形成复晶矽层于该闸极介电层之上;形成第一介电层于上述复晶矽层之上;利用微影及蚀刻制程蚀刻该第一介电层、该复晶矽层以及该闸极介电层以形成闸极结构;形成轻微掺杂汲极于该半导体基板之中;形成间隙壁于该闸极结构之侧壁上;执行一离子布植以形成汲极与源极于该半导体基板之中;形成第一导电层于该间隙壁、该闸极结构以及该半导体基板之上;执行第一热退火用以将该第一导电层与该汲极、该源极产生反应以形成第一矽化金属;去除未参与反应之该第一导电层;形成第二介电层于该基板、该闸极以及该第一介电层之上;形成光阻覆盖该第二介电层之上;去除该光阻至该第一介电层为止;去除该第一介电层;去除该光阻,用以暴露闸极;形成第二导电层于该第二介电层、该闸极之上;执行第二热退火用以将该第二导电层与该闸极产生反应以形成第二矽化金属;去除未参与反应之该第二导电层;及执行第三热退火用以降低该第一及第二矽化金属之电阻。2.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第一介电层包含硼氮化物(BN)。3.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第二介电层包含氧化层。4.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第一导电层包含钛。5.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第二导电层包含钛。6.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第一导电层包含钛/氮化钛。7.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第二导电层包含钛/氮化钛。8.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第一热退火之温度约为350至450℃。9.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第二热退火之温度约为350至450℃。10.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之第二热退火之温度约为800至900℃。11.如申请专利范围第1项之制程,其中上述之光阻系利用化学机械研磨制程加以去除。12.一种矽化金属制程,至少包含:形成闸极介电层于一半导体基板之上;形成复晶矽层于该闸极介电层之上;形成硼氮化物(BN)于上述复晶矽层之上;蚀刻该硼氮化物(BN)、该复晶矽层以及该闸极介电层以形成闸极结构;形成轻微掺杂汲极于该半导体基板之中;形成间隙壁于该闸极结构之侧壁上;执行一离子布植以形成汲极与源极于该半导体基板之中;形成第一含钛金属层于该间隙壁、该闸极结构以及该半导体基板之上;执行第一热退火用以将该第一含钛金属层与该汲极、该源极产生反应以形成第一矽化钛金属;去除未参与反应之该第一含钛金属层;形成介电层于该基板、该闸极以及该硼氮化物(BN)之上;形成光阻覆盖该介电层之上;去除该光阻层至该硼氮化物(BN)为止;去除该介电层,用以暴露闸极;去除该光阻;形成第二含钛之金属层于该介电层、该闸极之上;执行第二热退火用以将该第二含钛金属层与该闸极产生反应以形成第二矽化钛金属;去除未参与反应之该第二含钛金属层;及执行第三热退火用以降低该第一及第二矽化钛之电阻。13.如申请专利范围第12项之制程,其中上述之介电层包含氧化层。14.如申请专利范围第12项之制程,其中上述之第一含钛金属层更包含氮化钛。15.如申请专利范围第12项之制程,其中上述之第二含钛金属层更包含氮化钛。16.如申请专利范围第12项之制程,其中上述之第一热退火之温度约为350至450℃。17.如申请专利范围第l2项之制程,其中上述之第二热退火之温度约为350至450℃。18.如申请专利范围第12项之制程,其中上述之第二热退火之温度约为800至900℃。19.如申请专利范围第12项之制程,其中上述之光阻系利用化学机械研磨制程加以去除。20.一种两阶段矽化金属制程,至少包含:形成金氧半电晶体于基板之上,该金氧半电晶体包含第一介电层形成于闸极之上;执行第一阶段矽化制程,用以制作第一矽化金属于该金氧半电晶体之汲极与源极之上;形成第二介电层于该基板、该闸极以及该第一介电层之上;形成光阻覆盖该第二介电层之上;去除该光阻至该第一介电层为止;去除该第一介电层,用以暴露闸极;去除该光阻;及执行第二阶段矽化制程,用以制作第二矽化金属于该含氧半电晶体之闸极上。21.如申请专利范围第20项之制程,其中在完成该第二阶段矽化制程后,更包含执行热退火用以降低该第一及第二矽化金属之电阻。22.如申请专利范围第20项之制程,其中上述之第一介电层包含硼氮化物(BN)。23.如申请专利范围第20项之制程,其中上述之第二介电层包含氧化层。24.如申请专利范围第20项之制程,其中上述热退火之温度约为800至900℃。25.如申请专利范围第20项之制程,其中上述之光阻系利用化学机械研磨制程加以去除。图式简单说明:图一为本发明之形成闸极结构之截面图。图二为本发明形成矽化金属于汲极/源极后,涂布光阻于基板上之截面图。图三为本发明研磨光阻至硼氮化物表面之截面图。图四为本发明于闸极上形成第二矽化金属之截面图。 |
