| 主权项 |
1.一种规则排列奈米点阵列的制作方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一导电层于该基底上;形成一金属层于该导电层上;进行阳极氧化处理步骤,于表面将该金属层氧化形成一套米级孔洞阵列之氧化物模板;持续进行阳极氧化处理步骤,并透过该奈米级孔洞阵列之氧化物模板,将该导电层表面氧化形成与该奈米级孔洞阵列相对应之一金属氧化物奈米点阵列;以及移除该奈米级孔洞阵列之氧化物模板。2.如申请专利范围第1项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该导电层系Ti、TiN、Co、Zn、Sn、Cr、W、V、Cu、Mo、Fe或In所构成。3.如申请专利范围第1项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该金属层材料系铝。4.如申请专利范围第1项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该阳极氧化处理步骤之前更包括一电解抛光步骤。5.如申请专利范围第1项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该套米级孔洞阵列之氧化物模板系阳极氧化铝(AAO)。6.如申请专利范围第1项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该奈米级孔洞阵列之氧化物模板与该导电层之间的介面包括一氧化物阻障层。7.一种规则排列奈米点阵列的制作方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一薄膜于该基底上;形成一导电层于该薄膜上;形成一金属层于该导电层上;进行阳极氧化处理步骤,于表面将该金属层氧化形成一奈米级孔洞阵列之氧化物模板;持续进行阳极氧化处理步骤,并透过该奈米级孔洞阵列之氧化物模板,将该导电层表面氧化形成与该奈米级孔洞阵列相对应之一金属氧化物奈米点阵列;移除该奈米级孔洞阵列之氧化物模板及该导电层未氧化之部分,留下该金属氧化物奈米点阵列;以及以该金属氧化物奈米点阵列为罩幕,蚀刻该薄膜使该薄膜转换成一奈米点阵列。8.如申请专利范围第7项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该薄膜系SiGe。9.如申请专利范围第7项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该导电层系Ti、TiN、Co、Zn、Sn、Cr、W、V、Cu、Mo、Fe或In所构成。10.如申请专利范围第7项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该金属层材料系铝。11.如申请专利范围第7项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该阳极氧化处理步骤之前更包括一电解抛光步骤。12.如申请专利范围第7项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该奈米级孔洞阵列之氧化物模板系阳极氧化铝(AAO)。13.如申请专利范围第7项所述之规则排列奈米点阵列的制作方法,其中该奈米级孔洞阵列之氧化物模板与该导电层之间的介面包括一氧化物阻障层。图式简单说明:第1~4图系显示本发明第一实施例之规则排列氧化钛奈米点阵列的制程剖面图;第5图系显示阳极氧化反应时电流密度与时间(J-T)的关系图;第6a图显示阳极氧化铝奈米孔洞的上视SEM照片;第6b图显示阳极氧化铝奈米孔洞的剖面SEM照片;第7a图系显示阳极氧化铝孔洞底部与氮化钛介面之TEM照片;第7b图显示阳极氧化铝孔洞底部与氮化钛介面之剖面图;第8图系显示蚀刻移除阳极氧化铝之后所得氧化钛奈米点阵列之SEM照片;以及第9~12图系显示本发明第二实施例之规则排列奈米点阵列的制程剖面图。 |
