| 主权项 |
1.一种防止电子元件产生电磁辐射之方法,系应用于晶片藉由印刷电路板完成封装的架构上,主要令印刷电路板上形成具金属槽壁及接地特性的凹槽,以构成一包覆式辐射屏蔽;又令该电子元件包括有一基板、一固定于前述基板之一面上的晶片及形成于基板另一面上之全面金属层;其中,基板于固定晶片一面的周围处植布有锡球,并与印刷电路板上形成于凹槽周围的凸块对应接合,而令晶片容置于印刷电路板上具有金属槽壁之凹槽内;藉此,可利用电子元件上的金属层配合印刷电路板上的凹槽对电子元件构成一包覆式的辐射屏蔽。2.如申请专利范围第1项所述防止电子元件产生电磁辐射之方法,该电子元件系利用以下的步骤封装完成,其包括有:一基板制作步骤,系于基板一面上形成有线路,供接着晶片及植设锡球,并于另面全面形成金属层;一植球步骤,系于前述基板表面的线路一端植设锡球;一晶片接着步骤,将晶片固定于基板上,并与其上的线路构成电连接;一封胶步骤,系于基板表面的特定位置形成封胶层。3.如申请专利范围第2项所述防止电子元件产生电磁辐射之方法,该晶片接着步骤系由晶片黏着及打线等步骤组成。4.如申请专利范围第2项所述防止电子元件产生电磁辐射之方法,该晶片接着步骤系由晶片植球、覆晶等步骤组成。5.如申请专利范围第1项所述防止电子元件产生电磁辐射之方法,该印刷电路板系由以下的多层板制程构成,其包括有:一压合步骤,系对多层板进行压合;一形成开口式凹槽步骤,系于前述多层板上适当位置形成开口;一对前述开口或凹槽电镀以构成金属槽壁并予接地之步骤;一形成线路之步骤。6.如申请专利范围第5项所述防止电子元件产生电磁辐射之方法,该多层板系一四层板。7.如申请专利范围第6项所述防止电子元件产生电磁辐射之方法,该四层的多层板上形成有开口,并进一步与另一多层板进行压合,另一多层板上形成有金属层,并位于开口底部而形成一凹槽,随后进行二次电镀,使凹槽内的金属槽壁与金属层构成电性连接,并予以接地。8.如申请专利范围第5项所述防止电子元件产生电磁辐射之方法,该多层板系一八层板,该八层板上形成有一凹槽,其夹层中并形成有一金属层,该金属层系位于凹槽底部,并与凹槽间的金属槽壁构成电性接触。9.一种防止电子元件产生电磁辐射之结构,其包括有:一印刷电路板,其上形成有具金属槽壁且予接地之凹槽,并于凹槽周围的表面处形成有凸块;一电子元件,系由一基板、一固定于前述基板之一面上的晶片及形成于基板另一面上之全面金属层组成;其中,基板于固定晶片一面的周围处植布有锡球,并与印刷电路板上的凸块对应接合,该晶片系容置于印刷电路板上具有金属槽壁之凹槽内。10.如申请专利范围第9项所述防止电子元件产生电磁辐射之结构,该电子元件系一BGA封装元件,其金属屏蔽系于基板上相对晶片的外侧面上所形成金属层。11.如申请专利范围第10项所述防止电子元件产生电磁辐射之结构,该电子元件系以装晶打线方式安装晶片。12.如申请专利范围第10项所述防止电子元件产生电磁辐射之结构,该电子元件系利用覆晶(Flip Chip)方式安装晶片。图式简单说明:第一图:系本发明一较佳实施例之结构示意图。第二图:系本发明又一较佳实施例之结构示意图。第三图A~E:系本发明一较佳实施例中有关电子元件封装之步骤示意图。第四图A~F:系本发明一较佳实施例中一种多层板制程之步骤示意图。第五图A~D:系本发明一较佳实施例中又一种多层板制程之步骤示意图。第六图:系本发明之使用状态参考图。第七图:系一种既有半导体元件之结构示意图。第八图:系另种既有半导体元件之结构示意图。 |
