Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

摘要

Für ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer T-förmigen Elektrode, bei welcher in eine Öffnung einer Schutzschicht ein Elektrodenfuß und zugleich auf der Schutzschicht ganzflächig eine Metallschicht abgeschieden und in dieser durch Rückätzen bis zur Schutzschicht die Struktur des Elektrodenkopfes erzeugt wird, wird eine vorteilhafte Möglichkeit zur Erzeugung der Struktur des Gatefußes angegeben.