Lateraltransistor

摘要

Es wird ein Lateraltransistor angegeben, bei dem sich eine geringere Veränderung einer Stromverstärkungsrate selbst bei Verwendung des Lateraltransistors über einen langen Zeitraum erzielen läßt. DOLLAR A Bei dem erfindungsgemäßen Lateraltransistor ist eine Polysiliziumschicht (14) derart ausgebildet, daß sie einen Kollektorbereich (5) und einen Basisbereich (4) auf einer LOCOS-Oxidschicht (Feldisolierschicht) (12) von dem Kollektorbereich (5) bis zu einem Emitterbereich (6) überdeckt. Zum elektrischen Verbinden dieser Polysiliziumschicht (14) und des Emitterbereichs (6) miteinander sind ferner die Polysiliziumschicht (14) und der Emitterbereich (6) über eine Verdrahtung (15) miteinander verbunden.