发明名称 |
Struktur, insbesondere Halbleiterstruktur, sowie Verfahren zur Herstellung einer Struktur |
摘要 |
Eine Struktur, insbesondere Halbleiterstruktur, mit einem Substrat, das eine diamant- oder zinkselenidartige Gitterstruktur hat, und mit mindestens einer isolierenden Schicht auf dem Substrat, sindim Bereich der isolierenden Schicht DOLLAR A - im Wesentlichen alle Atome des Substrates auf den Gitterpositionen des Substratgitters, die Atome der obersten Substratlage dimerisiert und die Substratoberfläche silicidfrei; DOLLAR A - mindestens eine Ionenzwischenschicht grenzt unmittelbar an die Substratoberfläche und DOLLAR A - mindestens eine Ionendeckschicht ist auf der Ionenzwischenschicht. |
申请公布号 |
DE10303875(A1) |
申请公布日期 |
2004.08.19 |
申请号 |
DE2003103875 |
申请日期 |
2003.01.31 |
申请人 |
TECHNISCHE UNIVERSITAET CLAUSTHAL |
发明人 |
FOERST, CLEMENS;ASHMAN, CHRISTOPHER;BLOECHL, PETER |
分类号 |
C30B23/02;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/8246 |
主分类号 |
C30B23/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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