发明名称 Struktur, insbesondere Halbleiterstruktur, sowie Verfahren zur Herstellung einer Struktur
摘要 Eine Struktur, insbesondere Halbleiterstruktur, mit einem Substrat, das eine diamant- oder zinkselenidartige Gitterstruktur hat, und mit mindestens einer isolierenden Schicht auf dem Substrat, sindim Bereich der isolierenden Schicht DOLLAR A - im Wesentlichen alle Atome des Substrates auf den Gitterpositionen des Substratgitters, die Atome der obersten Substratlage dimerisiert und die Substratoberfläche silicidfrei; DOLLAR A - mindestens eine Ionenzwischenschicht grenzt unmittelbar an die Substratoberfläche und DOLLAR A - mindestens eine Ionendeckschicht ist auf der Ionenzwischenschicht.
申请公布号 DE10303875(A1) 申请公布日期 2004.08.19
申请号 DE2003103875 申请日期 2003.01.31
申请人 TECHNISCHE UNIVERSITAET CLAUSTHAL 发明人 FOERST, CLEMENS;ASHMAN, CHRISTOPHER;BLOECHL, PETER
分类号 C30B23/02;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/8246 主分类号 C30B23/02
代理机构 代理人
主权项
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