| 发明名称 | TFT基板、使用它的液晶显示装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种α－SiTFT基板(1)，在基板(2)上，包括：栅电极(4)；绝缘栅膜(6)；α－Si:H(i)膜(8)；沟道保护膜(10)；α－Si:H(n)膜(12)；以金属铝为主要成分的源－漏电极(14、15)；源·漏绝缘膜(16)；金属薄膜缓冲层(18)及透明电极(20)。在源－漏电极(14、15)上，成膜金属缓冲膜(18)和透明导电膜(20)，同时对它们进行腐蚀，形成金属薄膜缓冲层(18)和透明电极(20)。在通孔(22)中，源－漏电极(15)通过金属缓冲膜(18)不直接接触透明导电膜(20)，所以电极(15)中的铝不氧化，接触电阻不大。由此，可以提供稳定工作的TFT基板和液晶显示装置及其高效率的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1522470A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN02813279.3 | 申请日期 | 2002.05.24 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;松崎滋夫 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种TFT基板，在源-漏电极和透明电极之间插入有绝缘层，通过形成在所述绝缘层中的通孔，将所述源-漏电极和所述透明电极电连接，其中：所述源-漏电极以金属铝为主要成分，在所述通孔中，在所述源-漏电极与所述透明电极之间有金属薄膜缓冲层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||