发明名称 降压型同步整流电路的磁能驱动装置
摘要 一种降压型同步整流电路的磁能驱动装置,其中该降压型同步整流电路包括一产生脉冲信号的脉冲宽度调变器,相串接的第一及第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管,以及一第一电感器;该磁能驱动装置包括一借该脉冲信号产生一第一驱动方波的图腾柱驱动电路,以及一绕设在第一电感器上的第二电感器,当该第一驱动方波使该第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管反复产生导通及不导通动作时,在该第二电感器上会间断感应一负向电压,而产生一使该第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管反复产生不导通及导通动作而且与该第一驱动方波反相的第二驱动方波。
申请公布号 CN1521927A 申请公布日期 2004.08.18
申请号 CN03103174.9 申请日期 2003.01.31
申请人 微星科技股份有限公司 发明人 李志升;陈孟锋;许建基
分类号 H02M3/04;H02M3/155 主分类号 H02M3/04
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 韩宏
主权项 1.一种降压型同步整流电路的磁能驱动装置,其中该降压型同步整流电路包括一产生脉冲信号的脉冲宽度调变器,相串接的一第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管及一第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管,一第一电感器及一电容器,其中,该第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接一电压源,其源极连接该第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极,该第一电感器一端连接该第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极,另一端则经由该电容器接地;其特征在于:该磁能驱动装置包括:一图腾柱驱动电路,分别与上述脉冲宽度调变器及该第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极电性连接,以根据该脉冲信号产生一驱动该第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的第一驱动方波;及一第二电感器,以与上述第一电感器同相方式绕设于该第一电感器上,其一端连接上述电压源,另一端连接上述第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极;当该第一驱动方波令该第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管导通时,流经该第一电感器的电流在该第二电感器上感应一负向电压,使该第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管不导通,当该第一驱动方波令该第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管不导通时,该电压源即经由该第二电感器使该第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管导通,借此,产生一驱动该第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管且恰与该第一驱动方波反相的第二驱动方波。
地址 中国台湾