Layer structure having contact hole for fin-shaped capacitors in DRAMS and method of producing the same,申请号EP19910103412-传众专利搜索

发明名称	Layer structure having contact hole for fin-shaped capacitors in DRAMS and method of producing the same
摘要
申请公布号	EP0449000(B1)	申请公布日期	2004.08.18
申请号	EP19910103412	申请日期	1991.03.06
申请人	FUJITSU LIMITED	发明人	EMA, TAJI
分类号	H01L21/033;H01L21/316;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/82;H01L21/311	主分类号	H01L21/033
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